型号参数与资料
- 型号
- IPL60R105P7
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105mΩ |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 连续漏极电流Id | 33A |
| RthJC max | 0.91 K/W |
| QG (typ @10V) | 45.0 nC |
| 封装/外壳 | ThinPAK 8x8 |
| 工作温度 | -40°C~150°C |
| Budgetary Price €/1k | 2.0 |
| Ptot max | 137.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Qgd | 14.0nC |
| Pin Count | 5.0Pins |
| RthJA max | 62.0K/W |
| 栅极电压Vgs | 3V,4V |
| Mounting | SMT |
| Coss | 33.0pF |
| Ciss | 1952.0pF |
| Special Features | price/performance |
通用MOSFET ThinPAK8x8
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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