型号参数与资料
- 型号
- IPI020N06N
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| Qg-栅极电荷 | 106nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 214W |
| 高度 | 9.45mm |
| 长度 | 10.2mm |
| 宽度 | 4.5mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 210S/100S |
| 下降时间 | 19ns |
| 上升时间 | 45ns |
| 典型关闭延迟时间 | 51ns |
| 典型接通延迟时间 | 24ns |
| Moisture Level | NA |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 120A |
| QG (typ @10V) | 106.0 nC |
| 封装/外壳 | I2PAK (TO-262) |
| Rth | 0.7 K/W |
| Budgetary Price €/1k | 1.5 |
| Ptot max | 214.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Coss | 1800.0pF |
| Ciss | 7800.0 pF |
| 栅极电压Vgs | 2.8V,2.1V |
| 工作温度 | -55°C~175°C |
功率MOSFET 10.2mm I2PAK(TO-262)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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