参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD85P04P407ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3 DPAK PG-TO252-3-313
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2024-05-19]
系列	汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	85A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	89nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	6085pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	88W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.3m Ohms@85A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	DPAK
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	85A
漏源极电压Vds	40V
封装/外壳	PG-TO252-3-313