型号参数与资料
- 型号
- IPD80R280P7ATMA1
- 类别
- 功率MOSFET
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 17A(Tc) |
|---|---|
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | N 通道 |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 280 毫欧 @ 7.2A,10V |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 360uA |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1200pF @ 500V |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36nC @ 10V |
| 功率耗散(最大值) | 101W(Tc) |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 800V |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
功率MOSFET TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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