型号参数与资料
- 型号
- IPD65R1K0CE
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| Moisture Level | 3 |
|---|---|
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1000mΩ |
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 连续漏极电流Id | 7.2A |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) |
| Rth | 1.85K/W |
| QG | 15.3nC |
| Budgetary Price €/1k | 0.2 |
| Ptot max | 68.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Qgd | 8.0nC |
| Pin Count | 3.0Pins |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
| RthJA max | 62.0K/W |
| Mounting | SMD |
| 栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V |
通用MOSFET DPAK(TO-252)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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