型号参数与资料
- 型号
- IPD60R2K0C6
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| Qg-栅极电荷 | 6.7nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 22.3W |
| 高度 | 2.3mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 系列 | CoolMOSC6 |
| 宽度 | 6.22mm |
| 下降时间 | 50ns |
| 上升时间 | 7ns |
| 典型关闭延迟时间 | 30ns |
| 典型接通延迟时间 | 7ns |
| Moisture Level | 1 Ohms |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2000mΩ |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 连续漏极电流Id | 2.4A |
| RthJC max | 5.6 K/W |
| QG (typ @10V) | 6.7 nC |
| 封装/外壳 | DPAK (TO-252) |
| Budgetary Price €/1k | 0.21 |
| Ptot max | 22.3W |
| FET类型 | N-Channel |
| RthJA max | 62.0K/W |
| 栅极电压Vgs | 2.5V,3.5V |
| Mounting | SMT |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
功率MOSFET 6.5mm DPAK(TO-252)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。