型号参数与资料
- 型号
- IPD60R280P7ATMA1
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| 湿气敏感性等级（MSL） | 1(无限) |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 18nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 761pF @ 400V |
| Pd-功率耗散(Max) | 53W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 280 毫欧 @ 3.8A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TO252-3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 连续漏极电流Id | 12A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 190µA |
| 封装/外壳 | PG-TO252-3 |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 400V |
通用MOSFET PG-TO252-3 PG-TO252-3
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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