参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD50R1K4CE
说明	功率MOSFET   6.5mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5287 [库存更新时间：2024-05-22]
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	4.8A
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.26Ω
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	8.2nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	42W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
系列	XPD50R1
FET类型	N-Channel
宽度	6.22mm
下降时间	30ns
上升时间	6ns
典型关闭延迟时间	23ns
典型接通延迟时间	6.5ns
工作温度	-55°C~150°C