型号参数与资料
- 型号
- IPD50R1K4CE
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 500V |
| 连续漏极电流Id | 4.8A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.26Ω |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| Qg-栅极电荷 | 8.2nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 42W |
| 高度 | 2.3mm |
| 长度 | 6.5mm |
| 系列 | XPD50R1 |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 6.22mm |
| 下降时间 | 30ns |
| 上升时间 | 6ns |
| 典型关闭延迟时间 | 23ns |
| 典型接通延迟时间 | 6.5ns |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
功率MOSFET 6.5mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。