型号参数与资料
- 型号
- IPC302N20N3
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| 封装/外壳 | WAFER SAWN |
|---|---|
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Budgetary Price €/1k | 2.57 |
| Mode | Enhancement |
| 栅极电压Vgs | 2V,4V |
| 漏源极电压Vds | 200V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.2mΩ |
| Die Size (Y) | 6.7 mm |
| Die Size (X) | 4.5 mm |
| Thickness | 250 |
| Die Size (Area) | 30.15 mm² |
| EAS/Avalanche Energy | 47.0mJ |
通用MOSFET WAFERSAWN
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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