型号参数与资料
- 型号
- IPB65R280C6ATMA1
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 连续漏极电流Id | 13.8A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 440µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 45nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 950pF @ 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 280 毫欧 @ 4.4A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | D²PAK(TO-263AB) |
| 封装/外壳 | PG-TO263-3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 13.8 A |
| 漏源极电压Vds | 700 V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.28 0hms |
| 栅极电压Vgs | 3.5V |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V |
| 封装/外壳 | D2PAK (TO-263) |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| FET类型 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W |
| 高度 | 4.57mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 封装/外壳 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm |
| 宽度 | 9.45mm |
| 系列 | CoolMOS C6 |
| 晶体管材料 | Si |
| 漏源极电压Vds | 950 pF @ 100 V |
| 典型关断延迟时间 | 105 ns |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 10.31mm |
通用MOSFET D²PAK(TO-263AB) PG-TO263-3 D2PAK(TO-263) 10.31x9.45x4.57mm 10.31mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。