参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB65R150CFDATMA1
说明	通用MOSFET   D²PAK(TO-263AB) PG-TO263-3
起订量	1
最小包	1
现货	411 [库存更新时间：2026-02-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	22.4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 900µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	86nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2340pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	195.3W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	150 毫欧 @ 9.3A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	D²PAK(TO-263AB)
封装/外壳	PG-TO263-3