参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB65R045C7ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO263 TO-263-3 D2PAK(TO-263) 10.31mm 10.31x9.45x4.57mm
品牌	Infineon(英飞凌)
现货	635 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	46A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1.25mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	93nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4340pF @ 400V
Pd-功率耗散(Max)	227W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	45 毫欧 @ 24.9A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263
封装/外壳	TO-263-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	46 A
漏源极电压Vds	700 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.045 0hms
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	227W
最低工作温度	-55 °C
长度	10.31mm
高度	4.57mm
正向二极管电压	0.9V
系列	CoolMOS C7
封装/外壳	10.31 x 9.45 x 4.57mm
最高工作温度	+150 °C
漏源极电压Vds	4340 pF @ 400 V
典型关断延迟时间	82 ns
典型接通延迟时间	20 ns
宽度	9.45mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si