型号参数与资料
- 型号
- IPB65R045C7ATMA1
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 连续漏极电流Id | 46A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 1.25mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 93nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4340pF @ 400V |
| Pd-功率耗散(Max) | 227W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 45 毫欧 @ 24.9A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TO263 |
| 封装/外壳 | TO-263-3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 46 A |
| 漏源极电压Vds | 700 V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.045 0hms |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| 封装/外壳 | D2PAK (TO-263) |
| 晶体管配置 | 单 |
| 引脚数目 | 3 |
| FET类型 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| Pd-功率耗散(Max) | 227W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 10.31mm |
| 高度 | 4.57mm |
| 正向二极管电压 | 0.9V |
| 系列 | CoolMOS C7 |
| 封装/外壳 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 漏源极电压Vds | 4340 pF @ 400 V |
| 典型关断延迟时间 | 82 ns |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns |
| 宽度 | 9.45mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 晶体管材料 | Si |
通用MOSFET PG-TO263 TO-263-3 D2PAK(TO-263) 10.31mm 10.31x9.45x4.57mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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