型号参数与资料
- 型号
- IPB60R060C7
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| Moisture Level | 1 Ohms |
|---|---|
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 连续漏极电流Id | 35A |
| 封装/外壳 | D2PAK (TO-263) |
| Rth | 0.772K/W |
| QG | 68.0nC |
| Budgetary Price €/1k | 3.28 |
| Ptot max | 162.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Qgd | 23.0nC |
| Pin Count | 3.0Pins |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
| RthJA max | 62.0K/W |
| Mounting | SMT |
| 栅极电压Vgs | 3V,4V |
通用MOSFET D2PAK(TO-263)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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