型号参数与资料
- 型号
- IPB073N15N5
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| Moisture Level | 1 Ohms |
|---|---|
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.3mΩ |
| 漏源极电压Vds | 150V |
| 连续漏极电流Id | 114A |
| 封装/外壳 | D2PAK (TO-263) |
| Rth | 0.7K/W |
| QG | 49.0nC |
| Budgetary Price €/1k | 1.7 |
| 工作温度 | -55.0°C |
| Ptot max | 214.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Qgd | 10.0nC |
| Pin Count | 3.0Pins |
| RthJA max | 62.0K/W |
| Mounting | SMD |
| Coss | 900.0pF |
| Ciss | 3600.0pF |
| 栅极电压Vgs | 3V,4.6V |
通用MOSFET D2PAK(TO-263)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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