型号参数与资料
- 型号
- IPB019N08N5
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| 连续漏极电流Id | 180A |
|---|---|
| QG (typ @10V) | 99.0 nC |
| 封装/外壳 | D2PAK-7,TO-263-7 |
| 工作温度 | -55°C~175°C |
| Budgetary Price €/1k | 1.99 |
| Ptot max | 224.0 W |
| FET类型 | N-Channel |
| IDpuls max | 720.0 A |
| 漏源极电压Vds | 80V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.95mΩ |
| Pin Count | 7.0 Pins |
| 栅极电压Vgs | 3V,2.2V,3.8V |
| Mounting | SMD |
通用MOSFET D2PAK-7,TO-263-7
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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