型号参数与资料
- 型号
- IPB014N06NATMA1
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | OptiMOS™ |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 34A(Ta),180A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 143µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 106nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7800pF @ 30V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W(Ta),214W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.4mΩ@100A,10V |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TO263-7 |
| 封装/外壳 | D2PAK |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 180A |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 封装/外壳 | PG-TO263-7 |
通用MOSFET PG-TO263-7 D2PAK PG-TO263-7
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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