型号参数与资料
- 型号
- IPB010N06N
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 180A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 800uΩ |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| Qg-栅极电荷 | 243nC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 300W |
| 高度 | 4.4mm |
| 长度 | 10mm |
| 系列 | OptiMOS5 |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 9.25mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 160S |
| 下降时间 | 23ns |
| 上升时间 | 36ns |
| 典型关闭延迟时间 | 74ns |
| 典型接通延迟时间 | 37ns |
| 工作温度 | -55°C~175°C |
功率MOSFET 10mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。