型号参数与资料
- 型号
- IPA80R900P7
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 系列 | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 800V |
| 连续漏极电流Id | 6A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 110µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 500V |
| Pd-功率耗散(Max) | 26W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 900mΩ@2.2A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TO220-3 |
功率MOSFET PG-TO220-3
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。