型号参数与资料
- 型号
- IPA80R1K4CE
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| Moisture Level | NA |
|---|---|
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1400mΩ |
| 漏源极电压Vds | 800V |
| 连续漏极电流Id | 2.8A |
| 封装/外壳 | TO-220 FullPAK |
| Rth | 4.0K/W |
| QG | 23.0nC |
| Budgetary Price €/1k | 0.67 |
| Ptot max | 31.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Pin Count | 3.0Pins |
| 工作温度 | -40°C~150°C |
| RthJA max | 80.0K/W |
| Mounting | THT |
| 栅极电压Vgs | 2.1V,3.9V |
通用MOSFET TO-220FullPAK
资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。