型号参数与资料
- 型号
- IPA65R150CFDXKSA1
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 通用MOSFET
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2340pF @ 100V |
|---|---|
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 34.7W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 150 毫欧 @ 9.3A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TO220-3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 连续漏极电流Id | 22.4A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 86nC @ 10V |
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 封装/外壳 | PG-TO220 整包 |
通用MOSFET PG-TO220-3 PG-TO220整包
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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