参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPA65R150CFDXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO220-3 PG-TO220整包
起订量	1
最小包	1
现货	411 [库存更新时间：2025-04-03]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2340pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	34.7W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	150 毫欧 @ 9.3A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	22.4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	86nC @ 10V
漏源极电压Vds	650V
封装/外壳	PG-TO220 整包