型号参数与资料
- 型号
- HIP2100IBZT
- 品牌
- INTERSIL
- 类别
- 集成电路(芯片)
| 驱动配置 | 半桥 |
|---|---|
| FET类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
| 电压-电源 | 9 V ~ 14 V |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 4V,7V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 2A,2A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 114V |
| 上升/下降时间（典型值） | 10ns,10ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
集成电路(芯片) 8-SOIC
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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