型号参数与资料
- 型号
- FQT4N25TF
- 品牌
- ON(安森美)
- 类别
- 功率MOSFET
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 250V |
| 连续漏极电流Id | 830mA(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.6nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 200pF @ 25V |
| 功率 | 2.5W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.75 欧姆 @ 415mA,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
功率MOSFET TO-261-4,TO-261AA
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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