参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	FQT4N25TF
说明	功率MOSFET   TO-261-4,TO-261AA
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	528 [库存更新时间：2025-04-10]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	250V
连续漏极电流Id	830mA(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	5.6nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	200pF @ 25V
功率	2.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.75 欧姆 @ 415mA,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-261-4,TO-261AA