型号参数与资料
- 型号
- FQD4N20TM
- 品牌
- Fairchild(仙童)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | QFET® |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 3A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.5nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 220pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),30W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.4 Ohms@1.5A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 |
| 封装/外壳 | DPAK |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 200V |
| 连续漏极电流Id | 3A |
通用MOSFET TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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