型号参数与资料
- 型号
- FJV4101RMTF
- 类别
- 未分类
| FET类型 | PNP - 预偏压 |
|---|---|
| 电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电阻器 - 基底(R1) | 4.7 kOhms |
| 电阻器 - 发射极基底(R2) | 4.7 kOhms |
| 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 10mA,5V |
| 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 功率 | 1/5W |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236) |
未分类 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。