型号参数与资料
- 型号
- FF100R12RT4HOSA1
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- IGBT
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|
| 配置 | 2 个独立式 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100A |
| 功率 | 555W |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 2.15V @ 15V,100A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1mA |
| 不同 Vce 时的输入电容（Cies） | 630nF |
| 电压，耦合至输入电容（Cies）@ Vce | 25V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 封装/外壳 | AG-34MM-1 |
| 封装/外壳 | 模块 |
IGBT AG-34MM-1 模块
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。