型号参数与资料
- 型号
- FDS86267P
- 品牌
- Fairchild(仙童)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | PowerTrench® |
|---|---|
| FET类型 | P-Channel |
| 连续漏极电流Id | 2.2A(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 16nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1130pF @ 75V |
| 栅极电压Vgs | ±25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 255m Ohms@2.2A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/外壳 | SOIC |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 150V |
| 连续漏极电流Id | 2.2A |
通用MOSFET 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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