参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	FDS6681Z
说明	功率MOSFET   4.9mm SOIC
品牌	Fairchild(仙童)
起订量	0
最小包	0
现货	200 [库存更新时间：2025-04-18]
系列	FDS
高度	1.75 mm
长度	4.9 mm
宽度	3.9 mm
配置	Single Quad Drain Triple Source
下降时间	380 ns
典型接通延迟时间	20 ns
上升时间	9 ns
通道数量	1 Channel
典型关闭延迟时间	660 ns
正向跨导-最小值	79 S
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	260nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	7540pF @ 15V
栅极电压Vgs	±25V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.6mΩ@20A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOIC
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	20A