型号参数与资料
- 型号
- FDMQ86530L
- 品牌
- ON(安森美)
- 类别
- 功率MOSFET
| 漏源极电压Vds | 60V |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 8A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17.5 毫欧 @ 8A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2295pF @ 30V |
| 功率 | 1.9W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 12-MLP(5x4.5) |
| FET类型 | N-Channel |
功率MOSFET 12-MLP(5x4.5)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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