型号参数与资料
- 型号
- FDD050N03B
- 品牌
- ON(安森美)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 50A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 43nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±16V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2875pF @ 15V |
| 功率 | 65W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5 毫欧 @ 25A,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | D-PAK(TO-252AA) |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 15V |
未分类 D-PAK(TO-252AA) TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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