参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	FCD850N80Z
说明	功率MOSFET   TO-252-3,Dpak,SC-63
起订量	0
最小包	0
现货	474 [库存更新时间：2024-04-16]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	800V
连续漏极电流Id	6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 600µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	29nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1315pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	75W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	850mΩ@3A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,Dpak,SC-63