型号参数与资料
- 型号
- EM6K6T2R
- 品牌
- ROHM(罗姆)
- 类别
- 小信号MOSFET
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA |
|---|---|
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 25pF @ 10V |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | EMT |
| 连续漏极电流Id | 300mA |
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1Ω |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 栅极电压Vgs | 300mV |
| 上升时间 | 10ns |
| 下降时间 | 10ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15ns |
| 典型接通延迟时间 | 5ns |
| 宽度 | 1.2mm |
| 系列 | EM6K6 |
| 通道数量 | 2Channel |
| 配置 | Dual |
| 长度 | 1.60mm |
| 高度 | 0.50mm |
小信号MOSFET EMT 1.60mm
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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