型号参数与资料
- 型号
- DTC114EM3T5G
- 品牌
- ON(安森美)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | NPN - 预偏压 |
|---|---|
| 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆） | 10k |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 35 @ 5mA,10V |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| FET类型 | NPN |
| 集电极最大允许电流Ic | 100mA |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA,10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） | 10k |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 35 @ 5mA,10V |
未分类 SOT-723
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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