型号参数与资料
- 型号
- DN3545N3-G
- 品牌
- Microchip
- 类别
- 通用MOSFET
| 连续漏极电流Id | 200mA(Ta) |
|---|---|
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 0V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 360pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| FET类型 | 耗尽模式 |
| Pd-功率耗散(Max) | 740mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20 Ohms@150mA,0V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
| 封装/外壳 | TO-92 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 450V |
| 连续漏极电流Id | 0.136A |
通用MOSFET TO-226-3,TO-92-3标准主体(!--TO-226AA) TO-92
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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