型号参数与资料
- 型号
- DMN3032LFDB-13
- 品牌
- Diodes(达尔（美台）)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | 2N-Channel |
|---|---|
| FET类型 | 标准 |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 6.2A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 30 毫欧 @ 5.8A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10.6nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 500pF @ 15V |
| 功率 | 1W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/外壳 | U-DFN2020-6(B 类) |
未分类 6-UDFN裸露焊盘 U-DFN2020-6(B类)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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