型号参数与资料
- 型号
- DMN2004K-7
- 品牌
- Diodes(达尔（美台）)
- 类别
- 小信号MOSFET
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V |
|---|---|
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF @ 16V |
| 工作温度 | -65°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| 连续漏极电流Id | 630mA |
| Pd-功率耗散(Max) | 350mW |
| Qg-栅极电荷 | 0.9nC |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 550mΩ |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 栅极电压Vgs | 500mV |
| 上升时间 | 8.4ns |
| 下降时间 | 37.6ns |
| 典型关闭延迟时间 | 59.4ns |
| 典型接通延迟时间 | 5.7ns |
| 宽度 | 1.3mm |
| 系列 | DMN2004 |
| 通道数量 | 1Channel |
| 配置 | Single |
| 长度 | 2.9mm |
| 高度 | 1mm |
小信号MOSFET SOT-23 2.9mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。