型号参数与资料
- 型号
- CSD75211W1723
- 品牌
- TI(德州仪器)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
|---|---|
| FET类型 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 4.5A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40 毫欧 @ 2A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.9nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 600pF @ 10V |
| 功率 | 1.5W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 12-uFBGA,DSBGA |
| 封装/外壳 | 12-DSBGA |
未分类 12-uFBGA,DSBGA 12-DSBGA
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