型号参数与资料
- 型号
- CNY65
- 类别
- 光耦
| BVCEO(Min)(V) | 80 |
|---|---|
| CTR(%) | 50~300 |
| Dimension(mm) | 13.64x9.74x6.01 |
| Function | Photo Transistor |
| IF[mA] | 5 |
| NumberofChannels | 1 |
| 封装/外壳 | DIP4 |
| Topr(Max)(degC) | 85 |
| Topr(Min)(degC) | -55 |
| VCE(SAT)(Max)(V) | 0.3 |
| Viso(Vrms) | 8000 |
| tf(uS) | 5 |
| toff(uS) | 7 |
光耦 DIP4
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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