型号参数与资料
- 型号
- BZT52C4V7LP-7
- 品牌
- Diodes(达尔(美台))
- 类别
- 整流二极管
| 偏差 | ±6% |
|---|---|
| 齐纳阻抗Zz | 80 Ohms |
| 反向漏电流Ir | 3µA @ 2V |
| 正向电压Vf | 900mV @ 10mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 封装/外壳 | X1-DFN1006-2 |
| 封装/外壳 | DFN |
| 齐纳电压Vz | 4.7V |
| 功率耗散Pd | 250mW |
整流二极管 ±6% X1-DFN1006-2 DFN
资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。