型号参数与资料
- 型号
- BSS159N
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 小信号MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 360mW |
| 高度 | 1.10mm |
| 长度 | 2.9mm |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 1.3mm |
| 下降时间 | 2.9ns |
| 上升时间 | 2.9ns |
| 典型关闭延迟时间 | 9ns |
| 典型接通延迟时间 | 3.1ns |
| Moisture Level | 1 Ohms |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3500mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 0.23A |
| RthJC max | 350.0 K/W |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| QG | 2.2nC |
| Budgetary Price €/1k | 0.06 |
| Ptot max | 0.36W |
| Pin Count | 3.0 Pins |
| 栅极电压Vgs | -3.5V,-2.4V |
| Mounting | SMD |
| Mode | Depletion |
| Coss | 7.4 pF |
| Ciss | 29.0 pF |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
小信号MOSFET 2.9mm SOT-23
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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