型号参数与资料
- 型号
- BSR202N
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 小信号MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(1/2W) |
| 高度 | 1.10mm |
| 长度 | 2.9mm |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 1.3mm |
| 下降时间 | 16.7ns |
| 上升时间 | 16.7ns |
| 典型关闭延迟时间 | 19ns |
| 典型接通延迟时间 | 8.8ns |
| Moisture Level | 1 Ohms |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 3.8A |
| 封装/外壳 | SC59 |
| QG | 5.8nC |
| Budgetary Price €/1k | 0.1 |
| Ptot max | 0.5mW |
| RthJA max | 250.0K/W |
| Coss | 278.0pF |
| Ciss | 863.0pF |
| 栅极电压Vgs | 0.7V,1.2V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 33mΩ |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
小信号MOSFET 2.9mm SC59
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。