型号参数与资料
- 型号
- BSP603S2L
- 类别
- 通用MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 55V |
| 连续漏极电流Id | 5.2A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 33mΩ |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| 配置 | SingleDualDrain |
| 功率 | 1.8W |
| 高度 | 1.6mm |
| 长度 | 6.5mm |
| FET类型 | N-Channel |
| 宽度 | 3.5mm |
| 下降时间 | 16ns |
| 典型关闭延迟时间 | 28ns |
| 典型接通延迟时间 | 10.8ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
通用MOSFET 6.5mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。