型号参数与资料
- 型号
- BSP52,115
- 品牌
- NXP Semiconductors(恩智浦)
- 类别
- 未分类
| 最大工作温度 | + 150 C |
|---|---|
| 封装/外壳 | SOT-223 |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 1000 |
| 最大工作频率 | 200 MHz |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 零件号别名 | BSP52 T/R |
| 配置 | Single Dual Collector |
| FET类型 | NPN |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 80 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
| 集电极—基极电压 VCBO | 90 V |
| 最大集电极截止电流 | 0.05 uA |
| 功率 | 1.25W |
未分类 SOT-223
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