型号参数与资料
- 型号
- BSP149L6327HTSA1
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 200V |
| 连续漏极电流Id | 660mA(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 0V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 400µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 5V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 430pF @ 25V |
| FET类型 | 耗尽模式 |
| 功率 | 1.8W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.8 欧姆 @ 660mA,10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-SOT223-4 |
| 封装/外壳 | TO-261-4 |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5V |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V |
未分类 PG-SOT223-4 TO-261-4
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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