参数	值
产品	未分类
型号编码	BCP69T1Gp
说明	未分类   TO-261-4,TO-261AA SOT-223
起订量	1
最小包	1
现货	397 [库存更新时间：2025-04-10]
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	500mV @ 100mA,1A
电流-集电极截止（最大值）	10µA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	85 @ 500mA,1V
Power-Max	1.5W
频率-跃迁	60MHz
工作温度	-65°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-261-4,TO-261AA
封装/外壳	SOT-223
FET类型	P-Channel
集电极最大允许电流Ic	1A
集电极_发射极击穿电压VCEO	20V