型号参数与资料
- 型号
- BC858CLT3G
- 品牌
- ON(安森美)
- 类别
- 未分类
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | 100mA |
|---|---|
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 650mV @ 5mA,100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA(ICBO) |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 420 @ 2mA,5V |
| 功率 | 3/10W |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236) |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
| FET类型 | P-Channel |
| 集电极最大允许电流Ic | 0.1A |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 30V |
未分类 SOT-23-3(TO-236) SOT-23
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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