型号参数与资料
- 型号
- APTM50HM65FT3G
- 品牌
- Microsemi(美高森美)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | 4个N通道(H桥) |
|---|---|
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 78m Ohms@25.5A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 140nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 7000pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 390W |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SP3 |
| 封装/外壳 | SP-3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 500V |
| 连续漏极电流Id | 51A |
通用MOSFET SP3 SP-3
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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