型号参数与资料
- 型号
- APTM100H18FG
- 品牌
- Microsemi(美高森美)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | 4 个 N 通道(H 桥) |
|---|---|
| FET类型 | 标准 |
| 漏源极电压Vds | 1000V(1KV) |
| 连续漏极电流Id | 43A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 210 毫欧 @ 21.5A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 5mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 372nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 10400pF @ 25V |
| 功率 | 780W |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SP6 |
| 封装/外壳 | SP6 |
未分类 SP6 SP6
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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