型号参数与资料
- 型号
- APTC60DAM35T1G
- 品牌
- Microsemi(美高森美)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 连续漏极电流Id | 72A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.9V @ 5.4mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 518nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 14000pF @ 25V |
| 功率 | 416W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 35 毫欧 @ 72A,10V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SP1 |
| 封装/外壳 | SP1 |
未分类 SP1 SP1
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