APT26F120B2

Microsemi(美高森美) · 未分类

型号参数与资料

型号
APT26F120B2
品牌
Microsemi(美高森美)
类别
未分类
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds1200V
连续漏极电流Id27A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)300nC
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs10V
栅极电压Vgs±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)9670pF
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds25V
功率1135W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs650 毫欧 @ 14A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳T-MAX™
封装/外壳TO-247-3 变式

未分类   T-MAX™ TO-247-3变式

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